半導体の不揮発性メモリでは、バックアップ用電池やキャパシタの寿命・液漏れ対策、FeRAMの容量不足やコスト、他社Toggle MRAM・SRAMの生産中止（EOL）など、設計・調達の悩みが尽きません。

そこで注目されているのが、韓国NETSOLが手がける次世代不揮発性メモリ「STT-MRAM」です。サムスンファウンドリとの強力なパートナーシップのもと、28nmから14nm FinFETへと微細化した最先端プロセスで製造され、ファブレスでありながら長期にわたる安定供給を実現しています。

本ウェビナーでは、MRAMの仕組みや他メモリとの違い、気になる耐磁力性能を実測データとともに、サプライチェーンと将来ロードマップまでわかりやすくご紹介いたします。

■ 本ウェビナーのゴール 

• 既存メモリの設計・調達課題に対する現実的な解決策（STT-MRAM）が見つかる
• MRAMの構造や他メモリとの違いなど、基本を理解できる
• STT-MRAMの耐磁力性能について、実測データをもとに安心して採用を検討できる

■ こんな方におすすめ

• 電池やキャパシタの寿命・液漏れ対策、基板スペースに頭を悩ませている回路設計・ハードウェア開発エンジニアの方
• 次世代の産業機器やIoT機器向けに、長寿命・超省電力・高信頼性な差別化技術を探している技術企画・プロダクトマネージャーの方
• 既存の不揮発メモリの生産中止（EOL）や長リードタイム、供給不安・コスト高に困っている資材調達・購買担当者の方

■ アジェンダ

1. 韓国NETSOLのご紹介：これまでの歩みと、MRAMが「国家戦略技術」に選ばれた理由
2. サムスンファウンドリとの強力なパートナーシップによる生産体制
3. STT-MRAMの構造原理と耐磁力性能：実測データによる安全性の解説
4. 他メモリとの性能比較：FeRAM、バッテリーバックアップSRAMからの置き換えメリット
5. 製品ロードマップと国内外の採用事例のご紹介

●  スピーカー

●  開催概要

【テーマ】

FeRAM・SRAM・NORの課題を1チップで解決！
韓国NETSOLが語る、次世代STT-MRAMの全貌

● 注意事項

• 可能な限りQ&Aにはお答えしますが時間の関係で全てのご質問にお答えできない可能性がございますことをご了承願います。
• 講演内容およびスケジュール等は、変更が生じる場合がございますのでご了承ください。
• 同業者などご参加をお断りさせていただく場合がございます。

● お申し込み

1. 上部または下部オレンジボタンよりお申込みが可能です。
   
2. お申込み完了後、Zoom視聴用URLを記載したご案内メールを自動送信いたします。
   万一ご案内メールが届かない場合は、恐れ入りますがウェビナー事務局（ml_webinar@st.shinko-sj.co.jp ）までご連絡をお願いいたします。